（赛迪网 SEMI　2002年06月14日 10:27）
【赛迪网讯】6月12日，我国台湾半导体业龙头——台积电宣布，它成功使用现有生产设备，开发出了鳍式场效晶体管（Fin Field-effect transistor:FinFET）原型产品，这种新型CMOS晶体管闸长可小于25纳米，未来可进一步缩至9纳米，这一产品的研发成功有望使CMOS制造工艺寿命再延长20年以上。

台积电CTO胡正明在夏威夷举办的“VLSI技术研讨会”上称，半导体产业界不断尝试解决当前半导体制造主流技术CMOS未来在物理学上面临的障碍与瓶颈，尽管有许多不同于CMOS的工艺技术被开发出来，试图解决这一问题，但它们与CMOS技术相比，都需花费更多成本、而且尚不适于大规模量产。

胡正明说，台积电成功使用现有生产设备做出的FinFET，证明常规电晶体在CMOS制程微缩化过程中遭遇的漏电流或过热等问题所造成瓶颈，可望得到解决，预计可使CMOS制程生产技术再延伸约20年以上，也将为半导体产业带来新的前景。

FinFET的技术源于目前通用的标准晶体管。在标准晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，而FinFET架构的创新之处就在于，其闸门类似鱼鳍的叉状，可于电路的两侧控制电路的接通与断开，从而改善电路的可控性，并减少其漏电流，大幅缩短晶体管闸长，缩小晶体管的体积。

业内人士称，台积电这种新型晶体管是半导体技术发展上的一大突破，借助于这种晶体管构造，未来的芯片设计师开发的超级电脑尺寸将只有指甲般大小。